CAPACITANCE OF DEGENERATE-SEMICONDUCTOR SCHOTTKY BARRIERS AT LOW-TEMPERATURES

被引：8

作者：

STOECKLY, B

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.91496

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：384 / 385

页数：2

共 7 条

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