THE ETCHING BEHAVIOR OF SILICON-CARBIDE COMPACTS

被引：7

作者：

JEPPS, NW

PAGE, TF

机构：

来源：

JOURNAL OF MICROSCOPY-OXFORD | 1981年 / 124卷 / DEC期

关键词：

D O I：

10.1111/j.1365-2818.1981.tb02485.x

中图分类号：

TH742 [显微镜];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：227 / 237

页数：11

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