CONCENTRATION EFFECTS ON THE LINE SPECTRA OF BOUND HOLES IN SILICON

被引：45

作者：

NEWMAN, R

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1956年 / 103卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.103.103

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：103 / 106

页数：4

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[J]. PHYSICAL REVIEW, 1955, 99 (02): : 465 - 467
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