CHEMICAL AND PHYSICAL SPUTTERING IN F+ ION-BEAM ETCHING OF SI

被引：25

作者：

TACHI, S

MIYAKE, K

TOKUYAMA, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.20.L411

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L411 / L413

页数：3

共 7 条

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