ON AN ANALYTICAL SOLUTION FOR TWO-DIMENSIONAL DIFFUSION OF SILICON SELF-INTERSTITIALS DURING OXIDATION OF SILICON

被引：11

作者：

HAMASAKI, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(82)90088-0

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4

共 6 条

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