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LOW THRESHOLD CURRENT SURFACE EMITTING ALGAAS/GAAS LASER WITH 45-DEGREE METALLIZED REFLECTOR
被引:6
作者
:
SHIEH, CL
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0
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0
机构:
Siemens Research & Technology, Lab, Princeton, NJ, USA, Siemens Research & Technology Lab, Princeton, NJ, USA
SHIEH, CL
MANTZ, J
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机构:
Siemens Research & Technology, Lab, Princeton, NJ, USA, Siemens Research & Technology Lab, Princeton, NJ, USA
MANTZ, J
ALAVI, K
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机构:
Siemens Research & Technology, Lab, Princeton, NJ, USA, Siemens Research & Technology Lab, Princeton, NJ, USA
ALAVI, K
ENGELMANN, RWH
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机构:
Siemens Research & Technology, Lab, Princeton, NJ, USA, Siemens Research & Technology Lab, Princeton, NJ, USA
ENGELMANN, RWH
机构
:
[1]
Siemens Research & Technology, Lab, Princeton, NJ, USA, Siemens Research & Technology Lab, Princeton, NJ, USA
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1988年
/ 24卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19880233
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
LASERS, SEMICONDUCTOR
引用
收藏
页码:343 / 344
页数:2
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共 3 条
[1]
NEW STRIPE-GEOMETRY LASER WITH SIMPLIFIED FABRICATION PROCESS
AMANN, MC
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机构:
Lehrstuhl für Allgemeine Elektrotechnik und Angewandte Elektronik, Technische Universität München, Arcisstraße 21
AMANN, MC
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1979,
15
(14)
: 441
-
442
[2]
SPRINGTHORPE AJ, 1977, P IEDM WASHINGTON, P571
[3]
SURFACE-EMITTING GAALAS GAAS-LASER WITH ETCHED MIRRORS
YANG, JJ
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SERGANT, M
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1986,
22
(08)
: 438
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1979,
15
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[3]
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YANG, JJ
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SERGANT, M
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1986,
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