EVIDENCE FOR CHEMICAL ANNEALING EFFECTS IN INDIUM OXIDE TUNNEL-JUNCTION BARRIERS

被引:10
作者
HEBARD, AF
ARTHUR, JR
ALLARA, DL
机构
关键词
D O I
10.1063/1.324574
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
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页码:6039 / 6044
页数:6
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