ELECTRONIC-STRUCTURE OF THE AG/SI INTERFACE - ANGLE-RESOLVED, ENERGY-DEPENDENT, PHOTOEMISSION-STUDY

被引：4

作者：

ARDEHALI, M

MAHOWALD, PH

LINDAU, I

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1989年 / 39卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.39.8107

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：8107 / 8114

页数：8

共 35 条

[31] INITIAL-STAGE OF AG CONDENSATION ON SI(111)7X7 [J].

TOSCH, S ;

NEDDERMEYER, H .

[32] PHOTOEMISSION OF VERY THIN AG LAYERS ON (111) SI [J].

WEHKING, F ;

BECKERMANN, H ;

NIEDERMAYER, R .

WILSON, RJ ;

CHIANG, S .

YANG, CN .

PHYSICAL REVIEW, 1948, 74 (07) :764-772

YEH, JJ ;

LINDAU, I .