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PRECIPITATE COLONIES IN SILICON
被引:45
作者
:
NES, E
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0
NES, E
WASHBURN, J
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WASHBURN, J
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1972年
/ 43卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1661438
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
收藏
页码:2005 / &
相关论文
共 4 条
[1]
COPPER PRECIPITATE COLONIES IN SILICON
[J].
NES, E
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NES, E
;
LUNDE, G
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LUNDE, G
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1972,
43
(04)
:1835
-&
[2]
PRECIPITATION IN HIGH-PURITY SILICON SINGLE CRYSTALS
[J].
NES, E
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NES, E
;
WASHBURN, J
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WASHBURN, J
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1971,
42
(09)
:3562
-&
[3]
NES E, 1970, THESIS U CALIFORNIA
[4]
TRIPLE ACCEPTORS IN GERMANIUM
[J].
WOODBURY, HH
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WOODBURY, HH
;
TYLER, WW
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TYLER, WW
.
PHYSICAL REVIEW,
1957,
105
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[1]
COPPER PRECIPITATE COLONIES IN SILICON
[J].
NES, E
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NES, E
;
LUNDE, G
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LUNDE, G
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1972,
43
(04)
:1835
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[2]
PRECIPITATION IN HIGH-PURITY SILICON SINGLE CRYSTALS
[J].
NES, E
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NES, E
;
WASHBURN, J
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WASHBURN, J
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1971,
42
(09)
:3562
-&
[3]
NES E, 1970, THESIS U CALIFORNIA
[4]
TRIPLE ACCEPTORS IN GERMANIUM
[J].
WOODBURY, HH
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WOODBURY, HH
;
TYLER, WW
论文数:
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TYLER, WW
.
PHYSICAL REVIEW,
1957,
105
(01)
:84
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