MINORITY-CARRIER INJECTION AND RESISTANCE MODULATION IN SILICON SURFACE-BARRIER DIODES

被引：1

作者：

ANDERSSON, LP ^{[1
]}

HYDER, A ^{[1
]}

BERG, S ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV UPPSALA, INST PHYS, UPPSALA, SWEDEN

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1974年 / 114卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0029-554X(74)90538-2

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：237 / 239

页数：3

共 15 条

[11] SPACE-CHARGE LIMITED EMISSION IN SEMICONDUCTORS [J].

SHOCKLEY, W ;

PRIM, RC .

PHYSICAL REVIEW, 1953, 90 (05) :753-758

[12] CURRENT TRANSPORT IN METAL-SEMICONDUCTOR-METAL (MSM) STRUCTURES [J].

SZE, SM ;

COLEMAN, DJ ;

LOYA, A .

[13]

TOVE PA, 1970, SEP P IEEE C EL DEV, P67

[14] DIFFUSION EFFECTS IN DOUBLE INJECTION NEGATIVE-RESISTANCE PROBLEM [J].

VASI, J ;

WESTGATE, CR .

[15] CHARACTERISTICS OF ALUMINUM-SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE [J].

YU, AYC ;

MEAD, CA .