INSITU STUDY OF P-TYPE AMORPHOUS-SILICON GROWTH FROM B2H6 - SIH4 MIXTURES - SURFACE REACTIVITY AND INTERFACE EFFECTS

被引：24

作者：

COLLINS, RW ^{[1
]}

机构：

[1] BP AMER RES & DEV,CLEVELAND,OH 44128

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 53卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1063/1.100029

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1086 / 1088

页数：3

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