DISTRIBUTION OF MOBILE CARRIERS IN PINCH-OFF REGION OF AN INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS INFLUENCE ON DEVICE BREAKDOWN

被引：20

作者：

ARMSTRONG, GA

MAGOWAN, JA

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1971年 / 14卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(71)90151-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：723 / +

页数：1

相关论文

共 22 条

[21]

VANNIELEN IA, 1967, PHILIPS RES REP, V22, P55

[22] TITANIUM DIOXIDE AS GATE INSULATOR FOR M O S TRANSISTORS [J].

WAKEFIELD, J ;

GAMBLE, HS .

ELECTRONICS LETTERS, 1970, 6 (16) :507-+