HIGH-TEMPERATURE ANNEALING BEHAVIOR OF OXYGEN IN SILICON

被引：11

作者：

RUIZ, HJ

POLLACK, GP

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2131376

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：128 / 135

页数：8

共 4 条

[1] DETERMINATION OF PARTS PER BILLION OF OXYGEN IN SILICON [J].

BAKER, JA .

[2] REACTIONS OF GROUP-III ACCEPTORS WITH OXYGEN IN SILICON CRYSTALS [J].

FULLER, CS ;

DOLEIDEN, FH ;

WOLFSTIRN, K .

KAISER, W ;

FRISCH, HL ;

REISS, H .

PHYSICAL REVIEW, 1958, 112 (05) :1546-1554

[4]

TAKANO Y, 1973, SEMICONDUCTOR SILICO