DETERMINATION OF PARTS PER BILLION OF OXYGEN IN SILICON

被引：40

作者：

BAKER, JA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(70)90078-X

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1431 / &

共 6 条

[1] ALEKSANDROVA GI, 1967, ATOMNAYA ENERGIYA, V23, P797
[2] GROSS C, 1969, J ELECTROCHEM SOC, V116, pC248
[3] OXYGEN CONTENT OF SILICON SINGLE CRYSTALS
KAISER, W
KECK, PH
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1957, 28 (08) : 882 - 887
[4] PELL EM, 1960, SOLID STATE PHYS, V1, P261
[5] OPTIMIZING OPERATING PARAMETERS OF INFRARED SPECTROMETERS
POTTS, WJ
SMITH, AL
[J]. APPLIED OPTICS, 1967, 6 (02): : 257 - &
[6] MASS ANALYSIS OF ION BEAMS FROM A LOW-VOLTAGE SPARK ION SOURCE FOR ION-IMPLANTATION DOPING OF SEMICONDUCTORS
WILSON, RG
JAMBA, DM
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1967, 38 (04) : 1976 - &