SILICON DIOXIDE THIN-FILMS PREPARED BY CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION FROM SILICON TETRAACETATE

被引：10

作者：

MARUYAMA, T

SHIONOYA, J

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1989年 / 28卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.28.L2253

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：L2253 / L2254

页数：2

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