ANOMALOUS WIDTH OF SOME PHOTOEXCITATION LINES OF IMPURITIES IN SILICON

被引：48

作者：

ONTON, A

FISHER, P

RAMDAS, AK

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW LETTERS | 1967年 / 19卷 / 14期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.19.781

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

收藏

页码：781 / &

相关论文

共 13 条

[11] OPTICAL DETERMINATION OF GROUND-STATE SPLITTINGS OF GROUP V IMPURITIES IN GERMANIUM
REUSZER, JH
FISHER, P
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1964, 135 (4A): : 1125 - +
[12] RAMAN SCATTERING FROM DONOR AND ACCEPTOR IMPURITIES IN SILICON
WRIGHT, GB
MOORADIA.A
[J]. PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1967, 18 (15) : 608 - &
[13] ZEEMAN EFFECT OF IMPURITY LEVELS IN SILICON
ZWERDLING, S
BUTTON, KJ
LAX, B
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1960, 118 (04): : 975 - 986