EFFECTS OF ATMOSPHERE DURING ARSENIC DIFFUSION IN SILICON FROM DOPEDOXIDE

被引：9

作者：

SAKURAI, T ^{[1
]}

NISHI, H ^{[1
]}

FURUYA, T ^{[1
]}

HASHIMOTO, H ^{[1
]}

SHIBAYAMA, H ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS LTD, HYOGO, KOBE, JAPAN

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1973年 / 22卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1654616

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：219 / 220

页数：2

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共 2 条

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