DC AND AC ANALYSIS OF HIGH-CURRENT DOUBLE BARRIER STRUCTURES

被引：21

作者：

VANBESIEN, O

LIPPENS, D

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1989年 / 32卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(89)90269-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1533 / 1537

页数：5

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共 12 条

[11] SMALL-SIGNAL IMPEDANCE OF GAAS-ALXGA1-XAS RESONANT TUNNELLING HETEROSTRUCTURES AT MICROWAVE FREQUENCY [J].

LIPPENS, D ;

MOUNAIX, P .

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[12]

LIPPENS D, 1989, IN PRESS MICROWAVE O