HALL-EFFECT IN SILICON ON SAPPHIRE

被引：1

作者：

HYNECEK, J ^{[1
]}

机构：

[1] CASE WESTERN RESERVE UNIV,INST TECHNOL,CLEVELAND,OH 44106

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1663680

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2806 / 2807

页数：2

共 9 条

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