PRIMARY DEFECTS IN LOW-FLUENCE ION-IMPLANTED SILICON

被引：26

作者：

WANG, KL ^{[1
]}

机构：

[1] GE,CTR RES & DEV,SCHENECTADY,NY 12301

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.91311

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：48 / 50

页数：3

共 13 条

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