HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTOR USING PSEUDOMORPHIC GAINAS FOR THE BASE

被引：18

作者：

ENQUIST, PM

RAMBERG, LR

NAJJAR, FE

SCHAFF, WJ

EASTMAN, LF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.97217

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：179 / 180

页数：2

共 3 条

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