ANALYSIS OF DEGRADATION BEHAVIOR OF A GUNN DIODE BASED ON DISLOCATION ACCEPTOR THEORY

被引：2

作者：

CHINO, K ^{[1
]}

FUKUDA, K ^{[1
]}

WADA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEG & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.16.1829

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1829 / 1833

页数：5

共 17 条

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