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SATURATION RADIATION EFFECTS IN MOS DEVICES

被引：4
作者：
HOLMSTROM, FE
CHURCHILL, JN
COLLINS, TW
机构：
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1978年 / 21卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(78)90322-2
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：915 / 917
页数：3
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共 5 条
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