RADIATION EFFECTS IN MOS DEVICES CAUSED BY X-RAY AND E-BEAM LITHOGRAPHY

被引：15

作者：

PECKERAR, M ^{[1
]}

FULTON, R ^{[1
]}

BLAISE, P ^{[1
]}

BROWN, D ^{[1
]}

WHITLOCK, R ^{[1
]}

机构：

[1] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1979年 / 16卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.570265

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1658 / 1661

页数：4

共 7 条

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