SCHOTTKY DIODE ANALYSIS FOR EVALUATION OF RIE EFFECTS ON SILICON SURFACES

被引：11

作者：

SPIRITO, P

RANSOM, CM

OEHRLEIN, GS

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1986年 / 29卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(86)90141-3

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：607 / 611

页数：5

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共 12 条

[11]

WALKER LG, 1974, SOLID ST ELECTRON, V17, P765

[12] DLTS STUDY OF RIE-INDUCED DEEP LEVELS IN SI USING P+N DIODE-ARRAYS [J].

WATANABE, MO ;

TAGUCHI, M ;

KANZAKI, K ;

ZOHTA, Y .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1983, 22 (02) :281-286