RADIATION-DAMAGE AND HARDENING EFFECTS ON COMPENSATED GAAS LIGHT-EMITTING DIODES

被引：17

作者：

SHARE, S ^{[1
]}

EPSTEIN, AS ^{[1
]}

POLIMADEI, RA ^{[1
]}

机构：

[1] HARRY DIAMOND LABS, WASHINGTON, DC 20438 USA

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1973年 / NS20卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1973.4327404

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：256 / 260

页数：5

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共 22 条

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