THERMODYNAMIC ANALYSIS OF III-V ALLOY SEMICONDUCTOR PHASE DIAGRAMS .3. SOLIDUS BOUNDARY IN GA1-XALXAS PSEUDOBINARY SYSTEM

被引：31

作者：

FOSTER, LM

SCARDEFIELD, JE

WOODS, JF

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2404323

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：765 / +

页数：1

共 8 条

[1]

FOSTER LM, 1971, J ELECTROCHEM SOC, V118, P1175, DOI 10.1149/1.2408276

FOSTER, LM ;

WOODS, JF .

[3] SOLIDUS BOUNDARY IN GAP-INP PSEUDOBINARY SYSTEM [J].

FOSTER, LM ;

SCARDEFIELD, JE .

[4]

ILEGEMS M, 1969, GALLIUM ARSENIDE, P3

KU, SM ;

BLACK, JF .

[6]

LICHTER BD, 1969, T METALL SOC AIME, V245, P1021

[7] GA-AL-AS - PHASE THERMODYNAMIC AND OPTICAL PROPERTIES [J].

PANISH, MB ;

SUMSKI, S .

[8] LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF GA1-XALXAS [J].

WOODALL, JM ;

RUPPRECHT, H ;

REUTER, W .