CHANNELING OF PHOSPHORUS IONS IN SILICON

被引：6

作者：

REDDI, VGK

SANSBURY, JD

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1653967

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：30 / &

共 5 条

BAXANDALL, PJ ;

COLLIVER, DJ ;

FRAY, AF .

JOURNAL OF PHYSICS E-SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 1971, 4 (03) :213-+

[2] IMPLANTATION PROFILES OF 32P CHANNELED INTO SILICON CRYSTALS [J].

DEARNALEY, G ;

FREEMAN, JH ;

GARD, GA ;

WILKINS, MA .

[3] CHANNELING OF MEDIUM-MASS IONS THROUGH SILICON [J].

EISEN, FH .

[4]

JOHNSON WS, 1970, LSS PROJECTED RANGE

KENNEDY, DP ;

MURLEY, PC ;

KLEINFELDER, W .