ELECTRONIC IMPURITY LEVELS IN SEMICONDUCTORS

被引:206
作者
BASSANI, F
IADONISI, G
PREZIOSI, B
机构
[1] UNIV ROME, IST FIS, ROME, ITALY
[2] UNIV NAPLES, IST FIS TEORICA, NAPLES, ITALY
[3] CNR, GRP NAZL STRUTT MATERIA, ROME, ITALY
关键词
D O I
10.1088/0034-4885/37/9/001
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:1099 / 1210
页数:112
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