SUBSTRATE DEPENDENCE OF INP MESFET PERFORMANCE

被引：22

作者：

MORKOC, H

ANDREWS, JT

HYDER, SB

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1978年 / 14卷 / 22期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19780481

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：715 / 716

页数：2

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共 4 条

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