RESISTIVITY AND DEEP IMPURITY LEVELS IN SILICON AT 300 K

被引：28

作者：

SCLAR, N ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT,AUTONET GRP,ANAHEIM,CA 92803

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1977.18808

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：709 / 712

页数：4

共 7 条

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