DOPANT DENSITY AND TEMPERATURE-DEPENDENCE OF ELECTRON-MOBILITY AND RESISTIVITY IN N-TYPE SILICON

被引：194

作者：

LI, SS ^{[1
]}

THURBER, WR ^{[1
]}

机构：

[1] NBS,DIV ELECTR TECHNOL,SEMICONDUCT PROCESSING SECT,WASHINGTON,DC 20234

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1977年 / 20卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(77)90100-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：609 / 616

页数：8

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