SILICON EPITAXY FROM MIXTURES OF SIH4 AND HC1

[11] GROWTH AND ETCHING OF SI THROUGH WINDOWS IN SIO2 [J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1967, 114 (04) : 381 - +

[12] UBER DAS REAKTIONSGLEICHGEWICHT SI+SICL4=2SICL2 UND DIE THERMOCHEMISCHEN EIGENSCHAFTEN DES GASFORMIGEN SILICIUM (II)-CHLORIDS [J]. ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, 1953, 274 (4-5): : 250 - 264

[13] VAPOR PHASE DEPOSITION AND ETCHING OF SILICON [J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1965, 112 (10) : 988 - &

[14] SPAKOVSKIS V, PRIVATE COMMUNICATIO

[15] TUNG SK, 1965, J ELECTROCHEM SOC, V112, P437

[16] ZUR THERMOCHEMIE DER HALOGENSILANE - DIE BILDUNGSENTHALPIEN VON SICL4 UND SIHCL3 [J]. ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, 1961, 313 (3-4): : 228 - 233

[17] ASTMF9568T

[11] GROWTH AND ETCHING OF SI THROUGH WINDOWS IN SIO2 [J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1967, 114 (04) : 381 - +

[12] UBER DAS REAKTIONSGLEICHGEWICHT SI+SICL4=2SICL2 UND DIE THERMOCHEMISCHEN EIGENSCHAFTEN DES GASFORMIGEN SILICIUM (II)-CHLORIDS [J]. ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, 1953, 274 (4-5): : 250 - 264

[13] VAPOR PHASE DEPOSITION AND ETCHING OF SILICON [J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1965, 112 (10) : 988 - &

[14] SPAKOVSKIS V, PRIVATE COMMUNICATIO

[15] TUNG SK, 1965, J ELECTROCHEM SOC, V112, P437

[16] ZUR THERMOCHEMIE DER HALOGENSILANE - DIE BILDUNGSENTHALPIEN VON SICL4 UND SIHCL3 [J]. ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, 1961, 313 (3-4): : 228 - 233

[17] ASTMF9568T