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1/4-MUM CMOS ISOLATION TECHNIQUE USING SELECTIVE EPITAXY
被引:18
作者
:
KASAI, N
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机构:
NEC CORP,FUNDAMENTAL RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN
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KASAI, N
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]
ENDO, N
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NEC CORP,FUNDAMENTAL RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN
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ENDO, N
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ISHITANI, A
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NEC CORP,FUNDAMENTAL RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN
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ISHITANI, A
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]
KITAJIMA, H
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NEC CORP,FUNDAMENTAL RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN
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KITAJIMA, H
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1
]
机构
:
[1]
NEC CORP,FUNDAMENTAL RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1987年
/ 34卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1987.23088
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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EIDEN, GC
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1985,
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YAMAGUCHI, T
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