1/4-MUM CMOS ISOLATION TECHNIQUE USING SELECTIVE EPITAXY

被引:18
作者
KASAI, N [1 ]
ENDO, N [1 ]
ISHITANI, A [1 ]
KITAJIMA, H [1 ]
机构
[1] NEC CORP,FUNDAMENTAL RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1987.23088
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:1331 / 1336
页数:6
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