1/4-MUM CMOS ISOLATION TECHNIQUE USING SELECTIVE EPITAXY

被引：18

作者：

KASAI, N ^{[1
]}

ENDO, N ^{[1
]}

ISHITANI, A ^{[1
]}

KITAJIMA, H ^{[1
]}

机构：

[1] NEC CORP,FUNDAMENTAL RES LABS,KAWASAKI,KANAGAWA 213,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23088

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1331 / 1336

页数：6