A THEORETICAL MODEL OF 3-POINT PROBE BREAKDOWN TECHNIQUE

被引:5
作者
SCHUMANN, PA
机构
关键词
D O I
10.1149/1.2410938
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
引用
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页码:1197 / &
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共 42 条
[41]   AVALANCHE BREAKDOWN-DOUBLE INJECTION INDUCED NEGATIVE RESISTANCE IN SEMICONDUCTORS [J].
STEELE, MC ;
ANDO, K ;
LAMPERT, MA .
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 1962, 17 (11) :1729-&
[42]  
TONG AH, 1967, OCT CHIC M EL SOC