ORIENTED GROWTH OF SEMICONDUCTORS .6. STACKING DISORDER IN EPITAXIAL INDIUM PHOSPHIDE

被引：4

作者：

HOLLOWAY, H

机构：

来源：

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS | 1968年 / 29卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3697(68)90048-6

中图分类号：

O6 [化学];

学科分类号：

0703 ;

摘要：

引用

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页码：1977 / &

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