BEHAVIOUR OF CURRENTS GOING THROUGH MOS STRUCTURES UNDER IONIZING RADIATIONS

被引：7

作者：

ESTEVE, D

BUXO, J

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1971年 / 14卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(71)90040-2

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：257 / &

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