RELIEF OF RESIDUAL STRAIN IN SILICON-ON-SAPPHIRE BY HEAT-ASSISTED PULSED-LASER ANNEALING

被引：3

作者：

YAMAZAKI, K

YAMADA, M

YAMAMOTO, K

ABE, K

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1981年 / 20卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.20.L371

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：L371 / L374

页数：4

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共 12 条

[11]

YAMAZAKI K, 1981, JPN J APPL PHYS, V20

[12] THERMAL-EXPANSION OF ALN, SAPPHIRE, AND SILICON [J].

YIM, WM ;

PAFF, RJ .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1974, 45 (03) :1456-1457