PROPERTIES OF BURIED INSULATING LAYERS IN SILICON FORMED BY HIGH-DOSE IMPLANTATION AT 60 KEV

被引：14

作者：

SKORUPA, W

WOLLSCHLAGER, K

GROTZSCHEL, R

SCHONEICH, J

HENTSCHEL, E

KOTTE, R

STARY, F

BARTSCH, H

GOTZ, G

机构：

[1] INST SOLID STATE PHYS & ELECTRON MICROSCOPY,DDR-4050 HALLE,GER DEM REP

[2] FRIEDRICH SCHILLER UNIV,SEKT PHYS,DDR-6900 JENA,GER DEM REP

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(88)90253-4

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页数：6