HOT-ELECTRON TRANSPORT IN THE ALSB/INAS/GASB DOUBLE HETEROSTRUCTURE PREPARED BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：3

作者：

CHIU, TH ^{[1
]}

LEVI, AFJ ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1988年 / 6卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584387

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：674 / 675

页数：2

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共 3 条

CHIU, TH ;

TSANG, WT ;

LEVI, AFJ .

[2] DYNAMICS OF EXTREME NONEQUILIBRIUM ELECTRON-TRANSPORT IN GAAS [J].

HAYES, JR ;

LEVI, AFJ .

[3] ROOM-TEMPERATURE OPERATION OF HOT-ELECTRON TRANSISTORS [J].

LEVI, AFJ ;

CHIU, TH .