PSEUDOMORPHIC IN0.53GA0.47AS/ALAS/INAS RESONANT TUNNELING DIODES WITH PEAK-TO-VALLEY CURRENT RATIOS OF 30 AT ROOM-TEMPERATURE

被引：140

作者：

BROEKAERT, TPE ^{[1
]}

LEE, W ^{[1
]}

FONSTAD, CG ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,CTR MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 53卷 / 16期

关键词：

D O I：

10.1063/1.99951

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1545 / 1547

页数：3

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