ENTHALPY OF FORMATION OF ANTISITE DEFECTS AND ANTISTRUCTURE PAIRS IN III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

被引：15

作者：

DOBSON, TW ^{[1
]}

WAGER, JF ^{[1
]}

机构：

[1] OREGON STATE UNIV,CTR ADV MAT RES,DEPT ELECT & COMP ENGN,CORVALLIS,OR 97331

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.344337

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1997 / 2001

页数：5

共 8 条

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