TRAPPING, EMISSION AND GENERATION IN MNOS MEMORY DEVICES

被引：16

作者：

WEI, LS ^{[1
]}

SIMMONS, JG ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TORONTO,ELECT ENGN DEPT,TORONTO,ONTARIO,CANADA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(74)90178-6

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：591 / 598

页数：8

共 17 条

[1]

CHOW NJ, 1972, IEEE T ELECTRON DEVI, VED19, P198

CHU, TL ;

SZEDON, JR ;

LEE, CH .

[3]

Dorda G., 1970, Physica Status Solidi A, V1, P71, DOI 10.1002/pssa.19700010109

[4]

FROHMANBENTCHKO.D, 1969, J APPL PHYS, V40, P307

[5]

HUTCHINS CL, 1967, P IEEE, V55, P1949

[6] TRAPPING LEVELS IN SILICON NITRIDE [J].

KENDALL, EJM .

[7]

KENDALL EJM, 1972, IEEE T ELECTRON DEVI, VED19, P287

[8] MEMORY BEHAVIOR OF AN MNS CAPACITOR [J].

PAO, HC ;

OCONNELL, M .

[9]

ROSS EC, 1969, RCA REV, V30, P367

[10]

SIMMONS JA, IN PRESS