TRAPPING LEVELS IN SILICON NITRIDE

被引：10

作者：

KENDALL, EJM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19680365

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：468 / &

共 8 条

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