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SOLID-PHASE FORMATION OF TRANSISTOR EMITTERS AT LOW-TEMPERATURE
被引:6
作者
:
FERN, AM
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FERN, AM
MCCALDIN, JO
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MCCALDIN, JO
机构
:
来源
:
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS
|
1972年
/ 60卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1109/PROC.1972.8846
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:1018 / &
相关论文
共 6 条
[1]
SOLID-PHASE GROWTH OF GE FROM EVAPORATED AL LAYER
CAYWOOD, JM
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CAYWOOD, JM
MCCALDIN, JO
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MCCALDIN, JO
OTTAVIANI, G
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OTTAVIANI, G
FERN, AM
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FERN, AM
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1972,
20
(08)
: 326
-
+
[2]
ELLIOTT RP, 1965, CONSTITUTION BINA S1
[3]
PRECIPITATION OF SI FROM AL METALLIZATION OF INTEGRATED-CIRCUITS
MCCALDIN, JO
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MCCALDIN, JO
SANKUR, H
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SANKUR, H
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1972,
20
(04)
: 171
-
&
[4]
MEER W, 1967, Z ANGEW PHYSIK, V23, P369
[5]
FORMATION OF INJECTING AND BLOCKING CONTACTS ON HIGH-RESISTIVITY GERMANIUM
OTTAVIANI, G
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OTTAVIANI, G
NICOLET, MA
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NICOLET, MA
CAYWOOD, JM
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CAYWOOD, JM
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MAYER, JW
MARRELLO, V
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MARRELLO, V
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1972,
20
(08)
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[6]
PETERSON NL, 1970, PHYS REV B, V1, P3269
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共 6 条
[1]
SOLID-PHASE GROWTH OF GE FROM EVAPORATED AL LAYER
CAYWOOD, JM
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CAYWOOD, JM
MCCALDIN, JO
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MCCALDIN, JO
OTTAVIANI, G
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OTTAVIANI, G
FERN, AM
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FERN, AM
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1972,
20
(08)
: 326
-
+
[2]
ELLIOTT RP, 1965, CONSTITUTION BINA S1
[3]
PRECIPITATION OF SI FROM AL METALLIZATION OF INTEGRATED-CIRCUITS
MCCALDIN, JO
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MCCALDIN, JO
SANKUR, H
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0
SANKUR, H
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1972,
20
(04)
: 171
-
&
[4]
MEER W, 1967, Z ANGEW PHYSIK, V23, P369
[5]
FORMATION OF INJECTING AND BLOCKING CONTACTS ON HIGH-RESISTIVITY GERMANIUM
OTTAVIANI, G
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OTTAVIANI, G
NICOLET, MA
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NICOLET, MA
CAYWOOD, JM
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CAYWOOD, JM
MAYER, JW
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MAYER, JW
MARRELLO, V
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MARRELLO, V
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1972,
20
(08)
: 323
-
+
[6]
PETERSON NL, 1970, PHYS REV B, V1, P3269
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