COSI2 AND SI EPITAXIAL-GROWTH IN (111) SI SUB-MICRON LINES WITH APPLICATION TO A PERMEABLE BASE TRANSISTOR

被引：14

作者：

GLASTRE, G

ROSENCHER, E

DAVITAYA, FA

PUISSANT, C

PONS, M

VINCENT, G

PFISTER, JC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.99266

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：898 / 900

页数：3

共 14 条

[11]

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[12]

Rathman D. D., 1982, International Electron Devices Meeting. Technical Digest, P650

ROSENCHER, E ;

GLASTRE, G ;

VINCENT, G ;

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DAVITAYA, FA .

[14] DOUBLE HETEROEPITAXY IN THE SI (111)-COSI2-SI STRUCTURE [J].

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ISHIWARA, H ;

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