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CURRENT PATH IN AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS
被引:13
作者
:
MATSUMURA, M
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MATSUMURA, M
KUNO, SI
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UCHIDA, Y
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UCHIDA, Y
机构
:
来源
:
JOURNAL DE PHYSIQUE
|
1981年
/ 42卷
/ NC4期
关键词
:
D O I
:
10.1051/jphyscol:19814111
中图分类号
:
学科分类号
:
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相关论文
共 3 条
[1]
AMORPHOUS-SILICON THIN-FILM METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS
HAYAMA, H
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HAYAMA, H
MATSUMURA, M
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MATSUMURA, M
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1980,
36
(09)
: 754
-
755
[2]
AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT DEVICE AND POSSIBLE APPLICATION
LECOMBER, PG
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机构:
Carnegie Laboratory of Physics, University of Dundee
LECOMBER, PG
SPEAR, WE
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Carnegie Laboratory of Physics, University of Dundee
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GHAITH, A
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机构:
Carnegie Laboratory of Physics, University of Dundee
GHAITH, A
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1979,
15
(06)
: 179
-
181
[3]
CURRENT PATH IN AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS
MATSUMURA, M
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MATSUMURA, M
KUNO, SI
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KUNO, SI
UCHIDA, Y
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UCHIDA, Y
[J].
JOURNAL DE PHYSIQUE,
1981,
42
(NC4):
: 519
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[1]
AMORPHOUS-SILICON THIN-FILM METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS
HAYAMA, H
论文数:
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0
HAYAMA, H
MATSUMURA, M
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0
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MATSUMURA, M
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1980,
36
(09)
: 754
-
755
[2]
AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT DEVICE AND POSSIBLE APPLICATION
LECOMBER, PG
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Carnegie Laboratory of Physics, University of Dundee
LECOMBER, PG
SPEAR, WE
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Carnegie Laboratory of Physics, University of Dundee
SPEAR, WE
GHAITH, A
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机构:
Carnegie Laboratory of Physics, University of Dundee
GHAITH, A
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1979,
15
(06)
: 179
-
181
[3]
CURRENT PATH IN AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS
MATSUMURA, M
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MATSUMURA, M
KUNO, SI
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KUNO, SI
UCHIDA, Y
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UCHIDA, Y
[J].
JOURNAL DE PHYSIQUE,
1981,
42
(NC4):
: 519
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