COMPATIBLE NMOS, CMOS METAL GATE PROCESS

被引：11

作者：

SCHNEIDER, J ^{[1
]}

ZIMMER, G ^{[1
]}

HOEFFLINGER, B ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV DORTMUND,ELECTR DEVICES LAB,D-4600 DORTMUND 50,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1978.19180

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：832 / 836

页数：5

共 7 条

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