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BOROSILICATE GLASS-FILMS FOR INP ENCAPSULATION
被引:3
作者
:
SINGH, S
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SINGH, S
BONNER, WA
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BONNER, WA
CAMLIBEL, I
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CAMLIBEL, I
GRODKIEWICZ, WH
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GRODKIEWICZ, WH
KYLE, TR
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KYLE, TR
PASTEUR, G
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PASTEUR, G
VANUITERT, LG
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VANUITERT, LG
WILLIAMS, RS
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WILLIAMS, RS
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1981年
/ 38卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.92373
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
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[11]
DEPTH RESOLUTION DEGRADATION OF SPUTTER-PROFILED INP-INXGA1-XASYP1-Y INTERFACES CAUSED BY CONE FORMATION
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WILLIAMS, RS
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WILLIAMS, RS
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NELSON, RJ
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NELSON, RJ
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SCHLIER, AR
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SCHLIER, AR
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1980,
36
(10)
:827
-829
[12]
WONG J, 1980, J ELECTROCHEM SOC, V62, P127
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共 12 条
[11]
DEPTH RESOLUTION DEGRADATION OF SPUTTER-PROFILED INP-INXGA1-XASYP1-Y INTERFACES CAUSED BY CONE FORMATION
[J].
WILLIAMS, RS
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WILLIAMS, RS
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NELSON, RJ
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NELSON, RJ
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SCHLIER, AR
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SCHLIER, AR
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1980,
36
(10)
:827
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WONG J, 1980, J ELECTROCHEM SOC, V62, P127
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