MONITORING OF DRY ETCHING PROCESS OF SIO2 ON SI BY USING MASS-SPECTRA

被引：14

作者：

OSHIMA, M

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1978年 / 17卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.17.579

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：579 / 580

页数：2

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共 4 条

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